1，半導(dǎo)體材料廢氣概述

半導(dǎo)體設(shè)備工藝中需要使用多種多樣獨(dú)特氣體、大量酸、堿等化工品及其有機(jī)溶液和揮發(fā)物液態(tài)，這種氣體和化工品在半導(dǎo)體設(shè)備的差異工藝中應(yīng)用，造成酸性、偏堿、有機(jī)化合物等廢氣，這種廢氣假如未經(jīng)處置立即排出，將造成重大的污染問(wèn)題，不僅影響大眾的身心健康，惡變環(huán)境空氣，導(dǎo)致環(huán)境污染污染情況等，因而，一定要對(duì)半導(dǎo)體材料廢氣開(kāi)展凈化處理加工后，做到空氣污染物規(guī)范排出。

1.1半導(dǎo)體材料廢氣污染物來(lái)源

（1）酸性/偏堿工藝廢氣

酸性廢氣來(lái)自工藝步驟中使用的各種各樣硫酸液和酸性氣體對(duì)芯片的浸蝕過(guò)程和清理全過(guò)程，主要污染物為氯化物、硫酸霧、氮氧化合物、氯化氫；偏堿廢氣來(lái)自蝕刻工藝流程和工藝全過(guò)程中使用的氫氧化鈉和二氧化氮，主要成份為氨。

（2）有機(jī)化學(xué)廢氣

有機(jī)化學(xué)廢氣污染物質(zhì)甲苯、工業(yè)甲醇、二甲苯和丙酮來(lái)自應(yīng)用有機(jī)溶液清洗和光刻技術(shù)全過(guò)程。半導(dǎo)體設(shè)備工藝中使用的有機(jī)溶液量非常大，因而，對(duì)有機(jī)化學(xué)廢氣解決采用獨(dú)立處理設(shè)備。

（3）獨(dú)特氣體工藝廢氣

獨(dú)特氣體工藝廢氣指的是在空氣氧化、蔓延、CVD堆積、干法刻蝕、干法刻蝕等工序中產(chǎn)生的少量氯硅烷、磷烷、硼烷、及其CLa、CF4。

2.半導(dǎo)體材料廢氣處理辦法

2.1半導(dǎo)體材料工藝尾氣處理

（1）夾雜氣體工藝尾氣處理

在集成電路板的加工過(guò)程中，夾雜氣體工藝廢氣主要來(lái)自蔓延、CVD堆積、干法刻蝕工藝流程，廢氣里面含有少量氯硅烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為避免出現(xiàn)工藝廢氣中獨(dú)特氣體的排放濃度忽然擴(kuò)大的情況和其他出現(xiàn)意外突發(fā)狀況，保證工藝廢氣的安全性解決實(shí)際效果，經(jīng)根源處理后的工藝廢氣再經(jīng)過(guò)有機(jī)化學(xué)廢氣解決系統(tǒng)和酸性廢氣解決系統(tǒng)軟件加工后排出。

即規(guī)定擴(kuò)散爐、強(qiáng)束流離子注入機(jī)、較低濃度的離子注入機(jī)、CVD機(jī)配套設(shè)施工藝尾氣凈化裝置，工藝廢氣再經(jīng)過(guò)有機(jī)化學(xué)廢氣解決系統(tǒng)和酸性廢氣解決系統(tǒng)軟件加工后排出。

集成電路芯片廠一般配套的工藝尾氣凈化裝置選用燃燒法解決這種廢氣，并將燃燒完的排氣管再經(jīng)過(guò)有機(jī)化學(xué)廢氣解決系統(tǒng)和酸性廢氣解決系統(tǒng)軟件作進(jìn)一步加工處理。

燃燒后SiO2、PO等細(xì)顆粒物沉積，燃燒所產(chǎn)生的廢氣列入酸性廢氣解決系統(tǒng)軟件，可被堿液噴淋消化吸收凈化處理解決。

（2）干式刻蝕工藝尾氣處理

干法刻蝕應(yīng)用氫氣、四氟化碳等全氯化物（PFCs），絕大多數(shù)氫氣和全氯化物轉(zhuǎn)化成氯化氫和氯化物，未反映一部分經(jīng)配套的工藝尾氣凈化裝置解決，再經(jīng)過(guò)有機(jī)化學(xué)廢氣解決系統(tǒng)和酸性廢氣解決系統(tǒng)軟件加工后排出。一般對(duì)氫氣和全氯化物工藝廢氣選用有機(jī)化學(xué)吸附法處理。

2.2半導(dǎo)體材料工藝廢氣解決

（1）酸堿度廢氣處理辦法

對(duì)清洗槽所產(chǎn)生的強(qiáng)酸強(qiáng)堿廢氣、含氟量廢氣及其預(yù)備處理后廢氣，運(yùn)輸進(jìn)到強(qiáng)酸強(qiáng)堿馬鞍山凈化塔，根據(jù)酸堿中和法將半導(dǎo)體設(shè)備工藝?yán)锏乃嵝詨A廢氣、含氟量廢氣除去，做到環(huán)境保護(hù)排放的規(guī)定。

強(qiáng)酸強(qiáng)堿凈化塔歸屬于求微分觸碰倒流式，塔身體內(nèi)的填料是汽液二相接觸到的基本上預(yù)制構(gòu)件。塔架外部的氣體進(jìn)到塔架后，氣體進(jìn)到填料層，填料層上面有來(lái)自于頂部的噴灑液態(tài)及前面的噴灑液態(tài)，并且在填料上產(chǎn)生一層附面層，氣體流過(guò)填料間隙時(shí)，與填料附面層觸碰并進(jìn)行了消化吸收或化學(xué)反應(yīng)速率，填料層能提供足夠大的面積，對(duì)氣體流動(dòng)性又不會(huì)導(dǎo)致過(guò)大的摩擦阻力，經(jīng)消化吸收或中和后氣體經(jīng)除霧器搜集后，經(jīng)排氣口排出來(lái)塔外。廢氣由離心風(fēng)機(jī)自通風(fēng)風(fēng)管吸進(jìn)，由下而上越過(guò)填料層冷卻循環(huán)水由塔內(nèi)根據(jù)液體分布器，均勻地噴灑到填料層中，順著填料層外表往下流動(dòng)性，進(jìn)到循環(huán)水箱。因?yàn)樯仙龤饬骱徒档臀絼┰谔盍现胁粩嘤|碰，上升氣流中流食的含量急劇下降，到塔上時(shí)實(shí)現(xiàn)排出規(guī)定。附面層里的液態(tài)在重力作用下注入循環(huán)水池，并由循環(huán)水泵抽出來(lái)循環(huán)系統(tǒng)。洗滌塔以上的配置有除霧系統(tǒng)軟件，凈化處理后氣體根據(jù)除霧器的彎折安全通道，在慣性力矩及作用力的影響下將空氣中攜帶的液體分出，處理后的廢氣以一定速度流過(guò)除霧器，廢氣被迅速、持續(xù)更改運(yùn)動(dòng)方向，因向心力和慣性的作用，廢氣里的細(xì)顆粒物撞擊到除霧器葉片上被抓集出來(lái)，細(xì)顆粒物匯聚產(chǎn)生流水，因作用力的功效，降落至漿料池中，完成了氣液分離，導(dǎo)致流過(guò)除霧器的廢氣做到除霧要求后排出來(lái)。

（2）有機(jī)化學(xué)廢氣處理辦法

清洗槽、光刻技術(shù)、去膠機(jī)等造成的有機(jī)廢氣，然而對(duì)于有機(jī)化學(xué)廢氣處理辦法有許多種，普遍主要包括活性炭吸附法、燃燒法、UV馬鞍山光氧催化凈化處理法等，下面，創(chuàng)清環(huán)保小編詳解半導(dǎo)體材料有機(jī)化學(xué)廢氣處理辦法。

①活性炭吸附法

活性炭吸附法關(guān)鍵基本原理就是利用多孔結(jié)構(gòu)固態(tài)吸收劑（活性炭、硅橡膠、碳分子篩等）來(lái)處理有機(jī)化學(xué)廢氣，這樣就能夠根據(jù)離子鍵力或者分子引力充足吸咐有危害成份，而且把它吸咐在吸收劑表面，以達(dá)到凈化處理有機(jī)化學(xué)廢氣的效果。吸附法現(xiàn)階段主要應(yīng)用于風(fēng)大量、較低濃度的（≤800mg/m3）、無(wú)細(xì)顆粒物、無(wú)黏性物、常溫下的較低濃度的有機(jī)化學(xué)馬鞍山廢氣凈化處理解決。

活性碳凈化率高（活性炭過(guò)濾可以達(dá)到95%之上），好用遍布，控制簡(jiǎn)易，項(xiàng)目投資低。在吸咐飽和狀態(tài)之后必須更換新活性碳，拆換活性碳必須花費(fèi)，更換下來(lái)的飽和狀態(tài)往后的活性碳也是要找專業(yè)人員進(jìn)行危險(xiǎn)廢物處理，運(yùn)作費(fèi)用高。

②燃燒法

燃燒法不在有機(jī)廢氣在高溫及氣體充裕條件下開(kāi)展徹底燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用各種有機(jī)化學(xué)廢氣，可分為立即燃燒、供熱燃燒和催化反應(yīng)燃燒。

排放濃度超過(guò)5000mg/m3的濃度較高的廢氣一般采用立即燃燒法，此方法將VOCs廢氣做為然料開(kāi)展燃燒，燃燒環(huán)境溫度一般控制在1100℃，解決高效率，可達(dá)到95％一99％。

供熱燃燒法適用于解決濃度值在1000—5000mg/m3的廢氣，選用供熱燃燒法，廢氣中VOCs濃度值比較低，需要借助別的然料或燃燒氣體，供熱燃燒所需要的環(huán)境溫度較立即燃燒低，大約為540—820℃。燃燒法解決VOCs廢氣處理高效率，但VOCs廢氣若帶有S、N等元素，燃燒后產(chǎn)生的廢氣立即排放也會(huì)導(dǎo)致二次污染。

根據(jù)供熱燃燒或是催化反應(yīng)燃燒法處置有機(jī)化學(xué)廢氣，其凈化率是比較高的，但其項(xiàng)目投資經(jīng)營(yíng)成本非常高。因廢氣排放的點(diǎn)多且分散化，很難實(shí)現(xiàn)集中化搜集。燃燒設(shè)備必須好幾套且需要非常大的占地總面積。供熱燃燒比較合適24個(gè)小時(shí)接連不斷運(yùn)作且含量較高且相對(duì)穩(wěn)定的廢氣工作狀況，不適宜間歇性的生產(chǎn)生產(chǎn)線工作狀況。催化反應(yīng)燃燒的投資和運(yùn)營(yíng)費(fèi)用相對(duì)性供熱燃燒比較低，但凈化處理高效率也相對(duì)較低一些；但貴金屬催化劑容易因?yàn)閺U氣里的殘?jiān)ㄈ缌蛩猁}）等造成中毒了無(wú)效，而拆換金屬催化劑費(fèi)用非常高；并且對(duì)廢氣進(jìn)氣口標(biāo)準(zhǔn)的控制比較嚴(yán)格，不然會(huì)導(dǎo)致催化反應(yīng)燃燒室阻塞而引起安全生產(chǎn)事故。

③UV光氧催化凈化處理法

UV光氧催化凈化處理法運(yùn)用較高能UV紫外光光線溶解空氣中氧原子造成游離氧（即臭氧），因游離氧所帶上反質(zhì)子不均衡因此需與氧原子融合，進(jìn)而產(chǎn)生活性氧，活性氧具有極強(qiáng)的還原性，根據(jù)活性氧對(duì)有機(jī)化學(xué)廢氣、惡臭味氣體開(kāi)展協(xié)作光氧催化化學(xué)作用，使有機(jī)化學(xué)廢氣、惡臭味氣體化學(xué)物質(zhì)溶解轉(zhuǎn)換成低分子化合物、CO2和H2O。

UV光氧催化凈化處理法具備高效率解決高效率，可以達(dá)到95%之上；適應(yīng)性強(qiáng)，可融入中較低濃度的，空氣量，不一樣有機(jī)化學(xué)廢氣及其惡臭味氣體物質(zhì)的凈化處理解決；商品質(zhì)量穩(wěn)定，運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn)安全可靠，每日可24鐘頭連續(xù)工作；使用成本低，機(jī)器設(shè)備能耗低，不用專職人員管理方法與維護(hù)，僅需作定期維護(hù)。UV光打法因選用光氧催化基本原理，控制模塊采用隔爆解決，消除了安全風(fēng)險(xiǎn)，防火安全、防爆型、耐腐蝕特性高，設(shè)備平安穩(wěn)定，尤其適用馬鞍山化工廠、制藥業(yè)等防爆要求強(qiáng)的領(lǐng)域。

之上有關(guān)半導(dǎo)體材料廢氣處理辦法詳細(xì)介紹，希望可以幫到您，其實(shí)對(duì)于半導(dǎo)體材料廢氣解決，一般是應(yīng)該根據(jù)廢氣的濃度值、造成量、廢氣成份、怎樣搜集等方面進(jìn)行設(shè)計(jì)方案。如果你有半導(dǎo)體材料廢氣必須清潔解決，隨時(shí)可以撥打客服電話，資詢創(chuàng)清環(huán)境保護(hù),為您帶來(lái)半導(dǎo)體材料廢氣處理方案及設(shè)備。